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[问答] 请问缓启动电路总是烧MOS管是什么原因?
1354 缓启动电路 电路设计 MOS管
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输入电压110V,缓启动后面接了两个220uf电容。以前同样的电路实验没有问题,后来几年后也是同样的电路拿出来用,结果烧mos管。我猜测原因如下,不知道对不对,请各位大神指教。电源上电的时候,为了测试实际情况,采用空气开关,也就是断路器上电。
1、Mos管在启动的时候,因为栅极平台电压时间过长,导致此时电流很大,但是同时Vdc又有110VDC电压,因此导致MOS管过功率损坏短路。。
2、还有可能就是断路器上电的时候,内部弹片接触打火,导致MOS管产生过电压或者过电流损坏。请各位大神帮忙看一下,应该怎么处理,如果输入电压是24VDC的话,一点事情都没有。

2020-5-20 10:06:20   2 评论 分享淘帖 邀请回答 举报
2 条评论
  • 2020-5-21 21:57

    1.GS间并一个18V的稳压管
    2.GS间并的电容减小,100nF足已,太大米勒平台太长会导致管子发热

  • 2020-5-21 22:05

    我在另一个同样的问题帖子里,已经问过,用的是什么类型、型号的MOS ?

16个回答
有没有可能是 Vgs的电压超过了所选MOS的Vgs?  
2020-5-20 10:07:14 评论

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输入110VDC,栅压最多爬到12.9V。一般MOS管最高允许栅压都在20V以上,而且这个电路栅极有超重型旁路,我看栅极击穿的可能性相当小。
2020-5-20 10:09:11 评论

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建议抓一下上电瞬间的电流峰值。
2020-5-20 10:09:41 评论

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MOS虽然是压控器件 但要导通需要给Cgs电容充电,这个电容一般很很小,但你这个分压阻值也太大了,会导致导通非常缓慢,如果带点负载,那势必导通过程中发热量很大,散热如果不匹配,就会烧掉。
2020-5-20 10:15:22 1 评论

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1 条评论
你的分析1 是对的。MOS管处于过渡过程太久,耗散超限损坏。可考虑用个施密特门驱动栅极。
2020-5-20 10:17:57 评论

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2020-5-20 12:59:51 评论

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学习学习,感谢楼主大人的分享,每天都在提高自己
2020-5-20 13:59:43 评论

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当MOS管处于开启过程太长的时候,MOS管的耗散超过功率管允许最大值的情况下容易烧毁,可以三极管组成施密特门再驱动MOS管栅极,有效控制限制栅极驱动电流瞬间的电流峰值,避免烧毁芯片。
2020-5-20 16:28:08 评论

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一样的问题一样的电路,2020-4-26 14:17:30 lingjianghu已经问过了: http://bbs.elecfans.com/jishu_1927627_1_1.html

    1. 输入电压110V是交流还是直流?如果输入的是直流110V,经300:40电阻分压后,MOS管GS间的电压13V左右应该是安全的;如果输入是交流110V,经半波整流滤波,并经300:40电阻分压后,MOS管GS间的电压18V左右,加上电网电压不稳定的因素,很可能超过了MOS管的GS安全电压导致MOS管损坏(电网电压不一样,可能就是造成你说的以前这个电路没出问题,现在出问题的原因),一般MOS管GS间的安全电压要小于20V。
     2. 用MOS管实现缓启动要与并联的电阻协调配合才能起作用,MOS管上要并联一个NTC电阻。刚上电时,由于G极上电容的延时作用,MOS管未导通,电源电压通过NTC电阻给主滤波电容(图中的C16-C19)充电,NTC在温度较低时阻值较大,所以充电电流相对较小,避免了开机时电流冲击。经过延时后,主滤波电容上的充电电流已经减小,G极电压升高,MOS管导通,短接了NTC电阻,减少电阻上的耗电,电路进入正常工作状态。
  而你图中与MOS并联的14D470K是压敏电阻,压敏电阻在整个工作过程中都不导通,除非出现浪涌电压,压敏电阻是用来保护电路及元器件防止过电压的。你这儿用压敏电阻没有起到缓启动的作用,上电时MOS管不导通,压敏电阻也不导通,主滤波电容不充电,没电流;延时过后,MOS管导通,主滤波电容才开始充电,充电电流很大,直接冲击MOS管和电源,起不到缓启动的作用,只是延迟了启动的时间,没有减缓启动的电流。这样的情况下,MOS管容易过流过功率损坏也就可想而知了。
  所以,与MOS并联的启动电阻要用NTC电阻(负温度系数热敏电阻),或者用普通大功率电阻,而不能用压敏电阻。如果你一定要用压敏电阻作浪涌保护的话,要把它接到电源输入处,与C13并联。
      3. 不知道你跟2020-4-26 14:17:30 lingjianghu是不是同一位坛友,希望问题是否解决,怎么解决的能有一个回复。
2020-5-20 20:39:04 评论

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本帖最后由 JQ_Lin 于 2020-5-21 15:02 编辑

1. 【1. 输入电压110V是交流还是直流?】
楼主的截图和描述,都指明了,输入的是直流。

2. 【2. 用MOS管实现缓启动要与并联的电阻协调配合才能起作用,MOS管上要并联一个NTC电阻。】
显然不是个好主意。
2020-5-21 14:59:50 1 评论

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1 条评论
mos管耐压需要更高哦300v以上才更安全。
2020-5-22 10:06:26 评论

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采用直流可控硅控制电压,设计更简单可靠。
2020-5-22 13:30:15 评论

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国外的很多设备电源控制就是用直流可控硅直接控制电源电压的,线路设计简单,成本低稳定可靠。
2020-5-22 13:31:25 1 评论

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1 条评论
2020-5-26 20:47:47 评论

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2020.05.27
该电路不具备控制充电电流的能力。采取RC延缓启动的措施,用以避免立即开通产生的特大冲击电流造成NMOS管的损坏。
110V直流输入,NMOS栅极极限充电电压为12.94V。延缓时间取决于电容C14、C15的充电时间常数和NMOS管的最低启动电压。

1.上电经延时后,NMOS从截止到开通的延缓时间还是很短,电流上升速度快,负载电容短时间内充电完成,峰值电流大。
四个220uF时,峰值电流可高达几个安培。受得了不,要看所用NMOS管了,除了耐压,还有电流和功率。
2.假如电阻R7阻值变大甚至开路,NMOS的栅-源电压将不受限制,必烧无疑!检查R7是否焊牢,阻值是否变大。
3.电容C14和C15一旦失效(容量降低)甚至开路,虽然栅-源电压不会超标,但是上电后栅-源电压瞬间满幅,造成仅有的延缓启动功能缺失或不足,导致NMOS管瞬间开通,峰值电流可达几十上百安培!这是最可怕的事情,检查一下C14、C15吧。
4.若不想重新设计,又不变动原电路,可以采用增强型N-MOSFET,具有减缓电流上升速度从而降低峰值电流的显著效果。





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