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采用Flash存储器实现TMS320VC5410 DSP对多用户代码加载的方法研究

腾博会大厅安卓版下载设计 2020-05-21 08:30 次阅读

引 言

在TMS320C54X系列DSP系统的开发中,由于DSP片内只有ROMRAM存储器,如要将用户代码写入ROM中,必须要由DSP芯片厂家来完成;但这样做用户就不能再更改代码,很不实用。由于RAM在DSP掉电后不能再保存数据,因此,常常利用EPROM、Flash等一些外部存储器来存放用户代码。在DSP上电工作后,利用DSP提供的boot机制,再将程序下载到DSP RAM中运行。如果使用EPROM外部存储器存放用户代码,需要用代码转换工具将用户代码转换为二进制目标文件,然后用编程器将其烧写进EPROM;而如果使用Flash存储器存放用户代码,则可直接使用DSP仿真器和CCS(Code Composer Studio )仿真环境进行在线编程,使用灵活方便,不再需要其它编程设备。在某一以太网通信系统中,我们就采用Flash存储器来实现多份用户代码的有选择加载。下面就以此系统为例介绍对TMS320VC54X DSP的一种用户代码加载的方法。

1、系统构架

此通信系统基于802.3以太网标准,用以实现各终端之间的话音和其它数据的通信,以及实现局域网内终端与外界的话音和数据通信。为节约开发成本,提高系统的可扩展性、通用性和灵活性,我们对每个网内终端采用同样的硬件架构,通过使用不同的软件代码而使其实现不同的功能,发挥不同的作用。

每一通信终端由2块DSP芯片、1块网卡、1块CPLD和1块FPGA以及Flash存储器等器件组成可扩展的基本结构。其中,以TMS320VC5410 DSP作为主CPU,负责系统的逻辑控制和一般数据传输;以MS320VC5416 DSP作为从CPU,负责话音的编解码和回声消除、语音检测等工作。2块DSP之间通过主机接口(HPI)进行通信。为了实现代码的有选择下载,可由FPGA配置一端口作为拨码开关,使用户通过调节拨码开关,可以有选择地下载存储于Flash中的用户代码,其结构如图1所示。

采用Flash存储器实现TMS320VC5410 DSP对多用户代码加载的方法研究

配置拨码开关是为了扩充系统的功能,以实现一个硬件平台的多种用途。我们可以将实现不同功能的多份用户代码都写入Flash存储器中存放,通过硬件拨码开关的设置,选择其中一份用户代码下载执行。在系统上电加载用户代码时,系统先从Flash下载FPGA配置程序,然后通过FPGA读出拨码开关的值,再根据此值从Flash中选择对应的5410 DSP用户代码加载;而5416 DSP的用户代码加载是在5410代码加载完成,启动运行后由5410程序从Flash中读出相应的5416代码,再通过HPI加载到5416的,以此实现5416 DSP的代码加载与启动。

2、M29W800AB Flash存储器介绍及使用

在此系统中,我们选用的是M29W800AB Flash存储器,其容量为512K16位, 分为16页,每页32K。其中,第0页有4个模块:0x00~0x1fff、0x2000~0x2fff、0x3000~0x3fff、0x4000~0x7fff。其余各页,每页为1个模块,共有19个模块。

对Flash的操作要靠写入一系列特定的地址和数据序列来完成。在每次对Flash写入之前,要对其原来的内容进行擦除。Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除两种。块擦除是对一个模块进行擦除,芯片擦除是擦除整个Flash的内容。因此,对Flash的操作,是以模块为基本单元的。对Flash的操作由指令决定,其必须满足Flash的时序要求,每条指令需要1~6个不等的指令周期。主要操作指令包括读数据指令、编程指令、复位指令、自动选择指令和擦除指令。每个指令周期由一个命令构成,每个命令代码所执行的任务如表1所列。

表1 Flash的命令说明

下面以M29W800AB Flash的块擦除指令为例,具体说明Flash的操作时序:块擦除指令需要6个总线周期,先以2个解周期开始,然后是1个擦除建立周期,接下来又是2个解锁周期,最后是1个擦除确认周期,其指令时序如表2所列。

表2 Flash擦除指令说明

其C语言程序设计代码如下:

#define flash ((volatile unsigned int*)0x8000)

Block_Erase(ADDR){

flash[0x5555] = 0x00AA;

wait(1000);

flash[0x2AAA] = 0x0055;

wait(1000);

flash[0x5555] = 0x0080;

wait(1000);

flash[0x5555] = 0x00AA;

wait(1000);

flash[0x2AAA] = 0x0055;

wait(1000);

flash[ADDR] = 0x0030;

}

需要注意的是,Flash相对于DSP来说是慢速设备,编程时,对Flash的访问需要有足够的延时等待。对其它指令这里就不一一介绍了。要了解更多内容,可参考具体的Flash存储器手册。

3 、引导装载

DSP上电复位后,先检测其MP/MC引脚,如果MP/MC=“0”,表示使用片内ROM引导。此时,DSP从0xFF80处开始执行TI的片内引导程序。进入引导程序后,HINT引脚变为低电平,然后开始检测INT2是否为低电平(有效)。如有效,则进入HPI引导方式;否则,检测INT3引脚。如有INT3请求中断,则进入串行引导方式;否则,就进入并行引导方式。在本系统中,我们采用TI公司提供的Bootlooder程序进行引导装载,为此,应将MP/MC引脚接低电平。引导程序流程如图2所示。

3.1 HPI模式实现TMS320VC5416的程序加载

按以上设计,5416DSP的程序加载采用HPI(主机接口)模式。对于HPI引导模式,必须将HINT和INT2引脚连接在一起,以保证Bootloader程序能检测到INT2有效。当检测其为低电平时,进入HPI引导方式。主处理器5410启动运行后,5410程序从Flash中下载5416程序,通过5410与5416之间的HPI写入5416 RAM。在将程序写入5416时,要按照5416程序的cmd文件配置,将从Flash中读出的代码写入5416程序空间的代码段。写完代码后,还应将5416代码的起始地址写入5416的0x7f单元,将0写入0x7e单元,起始地址可在CCS仿真环境中编译5416代码后看出,此时PC所指向的位置就是代码的起始地址。这是因为,当5416进入HPI引导方式后,Boodloader程序开始检测0x7f单元的内容(0x7e和0x7f两单元内容在Boodloader程序开始执行时就清零)。当检测到其内容不为零时,即将0x7e的内容赋给XPC,将0x7f的内容赋给PC,程序跳转到PC所指向位置执行用户代码。这样就实现了从片5416的程序加载启动。图3是HPI模式加载用户代码的流程。

3.2 并行加载模式实现TMS320VC5410的程序加载

5410主处理器的用户代码加载采用并行模式加载。在本系统中,有多份5410用户代码存储于Flash中。系统上电后,先要从Flash中下载FPGA配置代码,然后读出拨码开关的值,再选择相应的用户代码下载,完成后,跳转到用户代码的入口地址开始执行用户代码。为此,需要设计一启动程序以实现以上功能。启动程序的内容包括下载FPGA配置代码,读拔码开关值,并根据此值选择下载相应的5410用户代码到其cmd文件配置的相应程序空间。完成后,跳转到用户代码起始地址。代码的起始地址通过CCS仿真环境编译后获得,启动程序的下载运行,则要依靠TI的片内引导程序,采用16位并行模式引导加载,需要构建引导表。所谓引导表就是引导程序要调入的代码。引导表中除了包括源代码之外,还包含一些附加信息。这些信息指导引导程序的具体执行过程。因此,可以说引导表是由程序代码和一些附加信息组成的一种数据结构。在这里,我们需要用启动程序构建引导表,并将引导表也写入Flash中。

在此系统中,Flash存储器映射为DSP的0x8000~0xffff数据空间。对Flash操作时,首先要选择页,每一页都对应为DSP的0x8000~0xffff地址的数据空间。需要注意:除了将引导表写入Flash外,还应将引导表的起始地址(对于DSP处理器而言的地址,如果在Flash中为0,则对DSP即为0x8000)写入Flash第一页的最后一个单元(0x7fff单元),即DSP存储空间的0xFFFFh单元。引导程序进入并行加载模式后,将查询数据空间的0xFFFFh单元,直到读入一个有效的地址数据。此数据为用户引导表的入口地址。这时,引导程序就跳转到Flash中的用户引导表开始执行。需要注意的是,对于不同型号和厂家的Flash,其引导表的格式和内容是不同的。下面就M29W800AB Flash引导表的格式及我们所配置的内容说明如下:

程序根据引导表的内容将用户代码下载到指定的程序空间中,并将指定的程序入口地址值赋给PC,使程序从此处开始执行,从而完成5410 DSP的引导启动。并行引导流程如图4所示。

在系统的实际调试过程中,通过HPI加载5416代码时,要注意5410和5416的时钟要匹配。一般来说,要求从片时钟为主片时钟的1.25倍以上。在此系统中,系统基准时钟为8MHz,5410启动时钟设为8MHz,5416设为10倍频80MHz。

本系统最大的优点是实现了一机多用,扩展了系统的功能,增强了系统的灵活性和通用性,在实际应用中已取得了良好的效果。

责任编辑:gt


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利用多端口存储器双口RAM和FIFO实现多机系统的设计

双口RAM是常见的共享式多端口存储器,以图1所示通用双口静态RAM为例来说明双口RAM的工作原理和仲....
发表于 05-18 10:26 166次 阅读
利用多端口存储器双口RAM和FIFO实现多机系统的设计

分立闪存存储器领域加密和安全基础设施

嵌入式系统越来越普遍地采用云技术来进行数据采集、事件检测和软件更新。这些远程物联网设备普遍通过固件完....
发表于 05-18 10:25 64次 阅读
分立闪存存储器领域加密和安全基础设施

基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机实现微型压力测量装置设计

Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行Flash存储器大多采用I2C接口或SPI接口进....
发表于 05-18 10:02 96次 阅读
基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机实现微型压力测量装置设计

STM32串行外设接口SPI的资料说明

小容量产品 是指闪存存储器容量在 16K 至 32K 字节之间的 STM32F101xx 、STM3....
发表于 05-18 08:00 59次 阅读
STM32串行外设接口SPI的资料说明

敏博推出32GB原生DDR4-3200工业级存储器模块

专注工控DRAM模块与Flash储存装置集成方案的敏博(MEMXPRO Inc.),不受疫情影响,持....
发表于 05-17 10:49 106次 阅读
敏博推出32GB原生DDR4-3200工业级存储器模块

芯片加持家电向智能化转型,国产家电芯片联合芯片厂商冲击高端

我国从90年代以来就把芯片独立自主作为国家支持的重要产业,然而2003年陈进发明的数字信号处理器(D....
发表于 05-17 10:31 812次 阅读
芯片加持家电向智能化转型,国产家电芯片联合芯片厂商冲击高端

BELASIGNA R281 始终聆听,语音触发音频DSP系统

信息 BelaSigna®R281是一款超低功耗语音触发解决方案,适用于各种消费腾博会大厅安卓版下载设备。在典型的应用中,BelaSigna R281“始终在聆听”。并且将检测单个用户训练的触发短语,当检测到该触发短语时断言唤醒信号。 “始终开启”。平均功耗小于300 uW的关键短语检测(不包括麦克风的功耗)可保持待机电池寿命。 BelaSigna R281是一款超小型解决方案,可同时提供采用5 mm x 5mm QFN32封装和2.42 mm x 2.74 mm WLCSP封装。它可以设计在单层PCB上,具有4 mil布线和最少量的外部元件。 需要一个外部的I C主控制器来配置器件进行操作。 超低功耗 卓越绩效 混合信号 Easy Design-In 优势特点 主要功能 久经考验的超低功耗数字信号处理(DSP)技术 •最初为助听器开发的音频DSP技术在以下方面具备所需的计算能力极低电流消耗 •...
发表于 04-18 19:42 91次 阅读
BELASIGNA R281 始终聆听,语音触发音频DSP系统

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 28次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 26次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 44次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 24次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的腾博会大厅安卓版下载调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 58次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的腾博会大厅安卓版下载调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 54次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的腾博会大厅安卓版下载调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 129次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的腾博会大厅安卓版下载调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 118次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的腾博会大厅安卓版下载调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 150次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的腾博会大厅安卓版下载调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 136次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 122次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 886次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 88次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 110次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI